چالشهای فناوری نانو برای ساخت مدارهای مجتمع
چالشهای فناوری نانو برای ساخت مدارهای مجتمع
مقدمه
در 30 سال گذشته، مدارهای مجتمع از ساختارهای کمسرعت با پیچیدگی کم، به سیستمهای پرسرعت و پیچیده که شامل تعداد بیشماری مدار الکترونیکی میباشد، توسعه یافته است. همانطور که در مقالات قبلی متوجه شدیم با کاهش ابعاد ترانزیستورها در مدارهای الکترونیکی و افزایش تعداد آنها در یکای سطح، سرعت مدارهای الکترونیکی به صورت قابلتوجهی افزایش مییابد و به دنبال آن گسترهی بازدهی و سودمندی آنها تحول چشمگیری مییابد. همچنین، توانایی ذخیرهی اطلاعات درون حافظهها در حجم معین نیز زیاد میشود.
در این میان «گوردون مور» موفق به کشف یک قانون تجربی شد که در صنعت الکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفت. او بیان کرد که تقریبا در هر دو سال، ابعاد ترازیستورها در مدارهای الکترونیکی نصف میشود و یا به بیان دیگر در هر دو سال تعداد ترانزیستورهای موجود در یکای سطح یک مدار الکترونیکی دو برابر میشود.
ادامه مطلب